7月初，美國政府與荷蘭ASML商談，希望后者禁止向中國出售深紫外 (DUV) 光刻機（可用于制造7nm制程芯片），美國還向日本施壓，要求其停止向中國銷售光刻設備；
7月底，美國進一步限制中國獲得半導體設備，從之前對制造10nm制程芯片的設備限制擴大至14nm的；
8月初，路透社報道，美國考慮通過禁止出口制造超過128層NAND Flash、18nm及更先進制程DRAM的設備來遏制中國存儲芯片龍頭企業發展；
8月中旬，美國宣布，該國公司不得向中國大陸提供用于設計、制造3nm或更先進制程芯片的EDA工具；
8月底，英偉達向美國證券交易委員會提交的文件顯示，美國即將發布一項禁止向中國出口高性能GPU芯片的禁令。
無論是制造18nm制程DRAM、128層NAND Flash存儲芯片，還是用于制造14nm制程的邏輯芯片，相關高端半導體設備，特別是來自于美國廠商的，已經很難獲得，而且，今后幾年，來自于日本、韓國和歐洲的類似設備，大概率也越來越難以購買，要想制造高端芯片，就必須依靠本土設備了。
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